Skip to main content

Samsung predstavio HBM3e memoriju većeg kapaciteta za bržu obuku i zaključivanje veštačke inteligencije


Samsung predstavio HBM3e memoriju većeg kapaciteta za bržu obuku i zaključivanje veštačke inteligencije

Ljubitelji akronima HBM će se obradovati pošto je Samsung predstavio HBM3e memoriju, odnosno novi DRAM memorijski čip sa naprednom TC NCF tehnologijom.

Šta to, međutim, znači za sve ostale? HBM kao akronim enegleskih reči „high namdwidth memory“ predstavlja memoriju visokog propusnog opsega, a u ovom slučaju, ona će sa narednom TC NCF tehnologijom doneti poboljšana termička svojstva uređajima koja će im pomagati u hlađenju. U oktobru prošle godine, južnokorejski tehnološki div je predstavio HBM3e Shinebolt, unapređenu verziju treće generacije memorije visokog propusnog opsega koja postiže 9,8 Gbps u maksimlanoj



Izvorni link